Измеритель параметров глубоких центров в полупроводниковых материалах ИПГЦ-2 – предназначен для измерения энергии активации глубоких уровней относительно границ запрещенной зоны полупроводника и оценки сечения захвата носителей заряда в диапазоне температур от минус 100 до 100 °С, на основе контроля статических и динамических вольт – фарадных характеристик p-n-переходов и барьеров металл полупроводник в режиме постоянного напряжения или постоянной емкости. Установка предназначена для исследования параметров глубоких уровней, образующихся в полупроводниковых материалах при проведении технологических операций формирования полупроводниковых структур, а так же для контроля чистоты высокотемпературных технологических операций производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. Внедрена в 1985 году НИИ ПО Таллинского электротехнического завода имени М.И.Калинина, в 1986 году на заводе Орбита г. Саранск. Разработчик: к.ф.-м.н., доцент кафедры микроэлектроники Домбровский Р.Р. Установка фотонной термообработки полупроводниковых структур УФОС-1 – была разработана и сконструирована на кафедре микроэлектроники под руководством к.т.н., доцента Е.Г. Тюрина. Исполнители: Акимов В.А. – м.н.с., Ионычев В.К. – инженер, Дьяков П.Ф. – учебный мастер. Результаты экспериментальных исследований позволили разработать технологический процесс формирования высококачественных омических контактов. В установке применен сканирующий способ облучения обрабатываемых структур в секундных интервалах длительности облучаемого импульса. Импульсная термообработка позволила значительно уменьшить длительность теплового воздействия на структуру, что повлияло на качество изделий и повысился процент выхода годных изделий. Внедрена на заводе «Искра» г. Ульяновска в 1987 году. Установка «ФОТОН-1» – формирование толстопленочных элементов гибридных интегральных схем мощным ИК-излучением. Была разработана и сконструирована на кафедре микроэлектроники под руководством к.т.н., доцента Е.Г. Тюрина. Исполнители: Акимов В.А. – м.н.с., Ионычев В.К. – инженер, Дьяков П.Ф. – учебный мастер, Синикина Н.В. – инженер. Результаты экспериментальных исследований позволили разработать технологический процесс формирования проводящих и диэлектрических слоев ГИС ИК излучением. Фотонная термообработка значительно сокращает длительность технологического процесса – (5-8 раз), при этом проводящие и диэлектрические слои имели основные параметры лучше, указанных в ТУ на соответствующие материалы. Применение импульсного лучистого нагрева дает возможность проводить одновременную термообработку многослойной структуры в отличии от послойной обработки. Внедрена на приборостроительном заводе г. Ульяновска в 1989 году. Конвейерная линия «ФОТОН» для сплавления выпрямительных элементов полупроводниковых приборов – была разработана и сконструирована на кафедре микроэлектроники под руководством к.т.н., доцента Е.Г. Тюрина. Исполнители: Акимов В.А. – м.н.с., Ионычев В.К. – инженер, Дьяков П.Ф. – учебный мастер, Синикина Н.В. – инженер. Результаты экспериментальных исследований позволили разработать технологический процесс формирования выпрямительных элементов. Импульсная термообработка позволила значительно уменьшить длительность теплового воздействия на структуры, что повлияло на качество изделий и повысился процент выхода годных изделий. Внедрена на Саранском заводе точных приборов в 1990 году. Установка микроплазменной спектроскопии глубоких центров в p-n-переходе – была разработана и сконструирована в 1999 году на кафедре к.ф.-м.н., доцентом кафедры микроэлектроники Ионычевым В.К.